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首页 全部分类 STGWA19NC60HD vs HGTG12N60A4D

STGWA19NC60HD备选型号: HGTG12N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
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  • 引脚数
  • 已出版
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  • 无铅代码
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  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGWA19NC60HD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    208W
    STGWA19
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    208W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    52A
    31 ns
    32 ns
    2.5V @ 15V, 12A
    150°C
    52A
    272 ns
    53nC
    60A
    25ns/97ns
    85μJ (on), 189μJ (off)
    20V
    5.75V
    25.54mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    167W
    HGTG12N60
    -
    -
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    17 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    30 ns
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    -
    60A
    180 ns
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    -
    -
    20.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    2002
    e3
    yes
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    54A
    16ns
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
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