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首页 全部分类 STGWT20H60DF vs FGH30N6S2

STGWT20H60DF备选型号: FGH30N6S2

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  • 额定电流
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWT20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGWT20
    Single
    167W
    Standard
    600V
    40A
    90ns
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH30N6S2
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 45A 167W TO247
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    167W
    -
    Single
    167W
    Standard
    600V
    45A
    -
    2.5V @ 15V, 12A
    -
    23nC
    108A
    6ns/40ns
    55μJ (on), 100μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    TO-247-3
    2001
    150°C
    -55°C
    600V
    45A
    167W
    10ns
    600V
    无铅
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