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首页 全部分类 STGY40NC60VD vs IRGP35B60PDPBF

STGY40NC60VD备选型号: IRGP35B60PDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • IGBT类型
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • STMicroelectronics
    STGY40NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGY40NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, MAX-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    260W
    50A
    STGY40
    3
    Single
    260W
    Standard
    43 ns
    电源控制
    19ns
    600V
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    44ns
    50A
    61 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    247 ns
    214nC
    43ns/140ns
    330μJ (on), 720μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP35B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AC
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.85V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    600V
    308W
    60A
    -
    -
    Single
    308W
    Standard
    26 ns
    电源控制
    6ns
    -
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    -
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    160nC
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2000
    通孔
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    COLLECTOR
    TO-247AC
    NPT
    120A
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