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STH145N8F7-2AG备选型号: STH140N8F7-2
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 80V 90AACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON90A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STH145R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 45A, 10V4.5V @ 250μA6340pF @ 40V96nC @ 10V80V±20V90A0.004Ohm360A80V515 mJROHS3 Compliant无铅--------------- MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)-EAR99----STH140----N-Channel-4m Ω @ 45A, 10V4.5V @ 250μA6340pF @ 40V96nC @ 10V-±20V90A----ROHS3 Compliant无铅15 Weeks33.949996g1Single26 ns51ns44 ns20V80V4.8mm10.4mm15.8mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB86366-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | 对比 |
 | IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | DMTH6004SCTB-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH | 对比 |
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