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STH170N8F7-2备选型号: IPB031N08N5ATMA1
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 80V 120AACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装250W TcSTripFET™ F7Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STH170N-Channel3.7m Ω @ 60A, 10V4.5V @ 250μA8710pF @ 40V120nC @ 10V80V±20V120AROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET N-CH 80V TO263-3-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装120A TcOptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel3.1m Ω @ 100A, 10V3.8V @ 108μA6240pF @ 40V87nC @ 10V-±20V120AROHS3 Compliant含铅13 Weeks33.949996gSILICON20132鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN18 nsSWITCHING无卤素18ns12 ns20V80V480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB120N08S404ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Mosfet N-channel 75/80V | 对比 |
 | FDB86366-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | 对比 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
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