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首页 全部分类 STH185N10F3-6 vs IRLS4030TRL7PP

STH185N10F3-6备选型号: IRLS4030TRL7PP

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STH185N10F3-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STH185
    Single
    25.6 ns
    N-Channel
    4.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    6665pF @ 25V
    114.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    180A
    15.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLS4030TRL7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    190A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    30
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    53 ns
    N-Channel
    3.9m Ω @ 110A, 10V
    2.5V @ 250μA
    11490pF @ 50V
    140nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    190A
    -
    ROHS3 Compliant
    7
    SILICON
    2009
    e3
    yes
    6
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    增强型MOSFET
    370W
    DRAIN
    SWITCHING
    160ns
    P-CHANNEL
    87 ns
    2.5V
    16V
    0.0039Ohm
    100V
    320 mJ
    1 V
    无SVHC
    无
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