STH245N75F3-6备选型号: IRFS7534TRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 通道数量
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)6SILICON10V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99鸥翼未说明未说明STH245Single增强型MOSFETDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA6800pF @ 25V87nC @ 10V75V±20V180A20V0.003Ohm720A75V4.6mm10.4mm8.9mmROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N CH 60V 195A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)3SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼26030-Single增强型MOSFETDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA10034pF @ 25V279nC @ 10V-±20V195A20V0.0024Ohm944A-4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 Compliant12 Weeks3.949996g2013e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierR-PSSO-G21134ns93 ns3.7V60V775 mJ无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS7734TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 对比 |
![]() | STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III | 对比 |
![]() | STH250N55F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 | 对比 |




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