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首页 全部分类 STH250N55F3-6 vs STH260N6F6-6

STH250N55F3-6备选型号: STH260N6F6-6

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 通道数量
  • STMicroelectronics
    STH250N55F3-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    2.6MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    245
    not_compliant
    未说明
    STH250
    7
    R-PSSO-G6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    6800pF @ 25V
    100nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    50 ns
    180A
    20V
    55V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH260N6F6-6
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    -
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    1.7mOhm
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    STH260
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    31.4 ns
    N-Channel
    -
    2.4m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11800pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    ±20V
    62.6 ns
    180A
    20V
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    1.59999g
    1
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