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首页 全部分类 STH260N6F6-6 vs IRFS7534TRLPBF

STH260N6F6-6备选型号: IRFS7534TRLPBF

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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STH260N6F6-6
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    1.59999g
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.7mOhm
    未说明
    未说明
    STH260
    1
    Single
    31.4 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11800pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    ±20V
    62.6 ns
    180A
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7534TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    3.949996g
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    30
    -
    1
    Single
    20 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    10034pF @ 25V
    279nC @ 10V
    134ns
    ±20V
    93 ns
    195A
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    2013
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3.7V
    0.0024Ohm
    944A
    775 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无铅
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