STH315N10F7-6备选型号: IRFS4010TRL7PP

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    1.59999g
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STH315
    R-PSSO-G6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    315W
    DRAIN
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    12800pF @ 25V
    180nC @ 10V
    108ns
    ±20V
    40 ns
    180A
    3.5V
    20V
    0.0023Ohm
    100V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    -
    -
    190A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    380W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    4m Ω @ 110A, 10V
    4V @ 250μA
    9830pF @ 50V
    230nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    48 ns
    190A
    -
    20V
    -
    100V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2008
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    Single
    4 V
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