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首页 全部分类 STH6N95K5-2 vs STB6N80K5

STH6N95K5-2备选型号: STB6N80K5

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • STMicroelectronics
    STH6N95K5-2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 950V 6A
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ K5
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STH6N
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25 Ω @ 3A, 10V
    5V @ 100μA
    450pF @ 100V
    13nC @ 10V
    950V
    ±30V
    6A
    6A
    24A
    950V
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB6N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SuperMESH5™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    STB6N
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 100μA
    255pF @ 100V
    7.5nC @ 10V
    800V
    -
    4.5A
    -
    -
    800V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3.949996g
    1
    Single
    30V
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SPB04N60S5ATMA1 SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比