STMicroelectronics STB6N80K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

85W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SuperMESH5™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB6N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

255pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅