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STI16N65M5备选型号: STI18N65M5

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • STMicroelectronics
    STI16N65M5
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STI16N65M5 Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    STI16N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    25W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    279m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1250pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    8 ns
    12A
    4V
    30V
    0.279Ohm
    650V
    48A
    200 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI18N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650 V 0.198 Ohm 15 A MDmesh(TM) V
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    SILICON
    15A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    STI18N
    -
    -
    增强型MOSFET
    110W
    36 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 7.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1240pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    9 ns
    15A
    -
    25V
    0.22Ohm
    650V
    60A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    R-PSIP-T3
    Single
    DRAIN
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