STI18N65M2备选型号: IPI60R280C6XKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3I2PAK12A Tc150°C TJTubeMDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)150°CSTI18NSingle11 nsN-Channel330mOhm @ 6A, 10V4V @ 250μA770pF @ 100V20nC @ 10V650V±25V12A25V770pF330mOhm330 mΩ9.35mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant---------------------
- MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-12 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-13.8A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)---13 nsN-Channel280m Ω @ 6.5A, 10V3.5V @ 430μA950pF @ 100V43nC @ 10V-±20V13.8A20V------ROHS3 CompliantSILICON2008yes3SINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET104WSWITCHING无卤素11ns12 ns600V0.28Ohm40A284 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STI14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 500 V 0.28 Ohm 12 A MDmesh(TM) II | 对比 |
![]() | SPI15N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 | 对比 |
![]() | STFI15N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP | 对比 |






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