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STI26NM60N备选型号: IPI60R125CPXKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON20A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)3EAR99STI26N3Single增强型MOSFET13 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA1800pF @ 50V60nC @ 10V600V±25V20A25V0.165Ohm80A600V610 mJ10.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON25A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)3--3-增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING125m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 1.1mA2500pF @ 100V70nC @ 10V650V±20V--0.125Ohm82A600V708 mJ---ROHS3 Compliant12 WeeksNO2008e3yesTin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE25A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI33N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 对比 |
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | 对比 |
 | STFI28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP | 对比 |
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