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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥38.845451
10
¥36.646652
100
¥34.572313
500
¥32.615388
1000
¥30.76924
STMicroelectronics STFI28N60M2
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- 对比
STFI28N60M2
2381-STFI28N60M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
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MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STFI28N60M2详情
STMicroelectronics STFI28N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
质量
2.084002g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
电阻
135mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STFI28N
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
14.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1440pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
7.2ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
22A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STFI28N60M2拓展信息
STMicroelectronics
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