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STI32N65M5备选型号: IPI60R099CPXKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 已出版
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON24A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩能源评级STI32N3Single增强型MOSFET150W53 nsN-ChannelSWITCHING119m Ω @ 12A, 10V5V @ 250μA3320pF @ 100V72nC @ 10V12ns±25V16 ns24A25V0.119Ohm650V96A650 mJ10.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant------------
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3 Tab) TO-262-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON31A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™-yes不用于新设计1 (Unlimited)3----3-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING99m Ω @ 18A, 10V3.5V @ 1.2mA2800pF @ 100V80nC @ 10V-±20V---0.099Ohm-93A800 mJ----ROHS3 Compliant8 WeeksNO2008SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V31A600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK | 对比 |
| STI30N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STFI34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP | 对比 |
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