STMicroelectronics STI34N65M5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STI34N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62.5nC @ 10V

上升时间

8.7ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

28A

JEDEC-95代码

TO-262AA

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112A

雪崩能量等级（Eas）

510 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant