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STI57N65M5备选型号: STI42N65M5
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh VACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON42A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR99STI57NSingle增强型MOSFET250WDRAIN73 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 21A, 10V5V @ 250μA4200pF @ 100V98nC @ 10V15ns±25V12 ns42A25V650V168A960 mJ9.35mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N-CH 650V 33A I2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON33A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR99STI42NSingle增强型MOSFET190W-61 nsN-ChannelSWITCHING79m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA4650pF @ 100V100nC @ 10V24ns±25V13 ns33A25V650V-950 mJ9.35mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅e3Tin (Sn)34V0.079Ohm4 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK | 对比 |
| STI32N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh | 对比 |
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