STK22N6F3备选型号: FDS86540

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 终端形式
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 60 V 22 A PolarPAK
    表面贴装
    表面贴装
    PolarPak®
    10
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    哑光锡
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    STK22
    10
    R-XDSO-N4
    Single
    增强型MOSFET
    5.2W
    SOURCE
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    2500pF @ 25V
    41nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    5 ns
    22A
    20V
    0.006Ohm
    60V
    88A
    800 mJ
    4 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS86540 - MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    5W
    -
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    6410pF @ 30V
    90nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    7.1 ns
    18A
    20V
    0.0045Ohm
    60V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    130mg
    2010
    yes
    鸥翼
    3.1V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无铅
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