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首页 全部分类 STL100N8F7 vs BSC040N08NS5ATMA1

STL100N8F7备选型号: BSC040N08NS5ATMA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • STMicroelectronics
    STL100N8F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100A Tc
    STripFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    STL100
    N-Channel
    6.1m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3435pF @ 40V
    46.8nC @ 10V
    80V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC040N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
    -
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100A Tc
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    4m Ω @ 50A, 10V
    3.8V @ 67μA
    3900pF @ 40V
    54nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    506.605978mg
    SILICON
    2013
    yes
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    无卤素
    8ns
    6 ns
    3V
    20V
    80V
    0.004Ohm
    80V
    400A
    150°C
    1.1mm
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