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STL100N8F7备选型号: IPB049N08N5ATMA1

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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL100N8F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100A Tc
    STripFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    STL100
    N-Channel
    6.1m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3435pF @ 40V
    46.8nC @ 10V
    80V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB049N08N5ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    -
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    -
    80A Tc
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    4.9m Ω @ 80A, 10V
    3.8V @ 66μA
    3770pF @ 40V
    53nC @ 10V
    -
    ±20V
    80A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    13 Weeks
    3.949996g
    SILICON
    2013
    yes
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    SWITCHING
    无卤素
    7ns
    7 ns
    20V
    80V
    0.0049Ohm
    320A
    84 mJ
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