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STL10N3LLH5备选型号: STS11N3LLH5

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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • STMicroelectronics
    STL10N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    11.7Ohm
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    DUAL
    STL10
    8
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 4.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    900pF @ 25V
    6nC @ 4.5V
    4.2ns
    ±22V
    3.5 ns
    9A
    1V
    22V
    9A
    30V
    36A
    150 mJ
    1 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS11N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 30 V 0.012 11A STripFET2
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    13.2mOhm
    -
    DUAL
    STS11
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 5.5A, 10V
    1V @ 250μA
    724pF @ 25V
    5nC @ 4.5V
    4.2ns
    +22V, -20V
    3.5 ns
    11A
    1V
    22V
    -
    30V
    44A
    -
    1 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    鸥翼
    260
    30
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