STMicroelectronics STL10N3LLH5
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STL10N3LLH5
2381-STL10N3LLH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
--最小包装量--
STL10N3LLH5详情
STMicroelectronics STL10N3LLH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
11.7Ohm
附加功能
ULTRA LOW-ON RESISTANCE
端子位置
DUAL
基本部件号
STL10
引脚数量
8
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
50W
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
4.2ns
Vgs(最大值)
±22V
下降时间(典型值)
3.5 ns
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
22V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
栅源电压
1 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL10N3LLH5拓展信息
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