STL11N3LLH6备选型号: FDMS8888
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VI活跃1 (Unlimited)8EAR997.5MOhmULTRA-LOW RESISTANCEDUALSTL118Single增强型MOSFET50WDRAINN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 5.5A, 10V1V @ 250μA (Min)1690pF @ 24V17nC @ 4.5V±20V11A20V30V44A无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13.5A Ta 21A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)5EAR99--DUAL--Single增强型MOSFET42WDRAINN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 13.5A, 10V2.5V @ 250μA1585pF @ 15V33nC @ 10V±20V13.5A20V30V-无ROHS3 Compliant-74mge3yesTin (Sn)R-PDSO-N59 ns6ns4 ns0.0095Ohm54 mJ1.9 V1.05mm5mm6mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8680 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 | 对比 | |
| FDMS8888 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56 | 对比 |



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