STL11N4LLF5备选型号: AUIRF7732S2TR
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-30代码
- 配置
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- MOSFET N-Ch 40 V 9.1 mOhm 15 A STripFET V表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON11A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)STripFET™ VObsolete1 (Unlimited)8EAR99DUALSTL11Single增强型MOSFET50WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING9.7m Ω @ 5.5A, 10V2.5V @ 250μA1570pF @ 25V12.9nC @ 4.5V42ns±20V5.2 ns11A20V40V44A无ROHS3 Compliant---------
- N CH MOSFET, 40V, 58A, DIRECTFET SC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous D表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SC7SILICON14A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM--增强型MOSFET41WDRAIN-N-ChannelSWITCHING6.95m Ω @ 33A, 10V4V @ 50μA1700pF @ 25V45nC @ 10V123ns±20V37 ns14A16V40V220A无ROHS3 Compliant16 Weeks2015R-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE4V55A0.00695Ohm45 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC8327L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V | 对比 | |
![]() | FDD8647L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | AUIRF7732S2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SC | N CH MOSFET, 40V, 58A, DIRECTFET SC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous D | 对比 |





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