STL130N6F7备选型号: IRFH7085TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 已出版
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFNSILICON130A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明未说明STL130R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.5m Ω @ 13A, 10V4V @ 250μA2600pF @ 25V42nC @ 10V60V±20V130A0.0035Ohm520A60VROHS3 Compliant无铅-----------------
- MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN-12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFNSILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL无铅未说明未说明-R-PDSO-N5-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.2m Ω @ 75A, 10V3.7V @ 150μA6460pF @ 25V165nC @ 10V-±20V23A0.0032Ohm590A-ROHS3 Compliant无铅820081Single156W13 ns25ns23 ns3.7V20V60V554 mJ150°C950μm6.15mm5.15mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC031N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R | 对比 |
![]() | BSC034N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON | 对比 |
![]() | STL140N6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT | 对比 |






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