Infineon Technologies IRFH7085TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

63 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

StrongIRFET™

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

165nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

23A

阈值电压

3.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

590A

雪崩能量等级（Eas）

554 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

950μm

长度

6.15mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅