您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL150N3LLH5 vs FDD8870

STL150N3LLH5备选型号: FDD8870

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • JEDEC-95代码
  • 最大结点温度（Tj）
  • STMicroelectronics
    STL150N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.75mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    30
    STL150
    8
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    17.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.75m Ω @ 17.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5800pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    30.8ns
    ±22V
    47.8 ns
    17.5A
    1.55V
    22V
    35A
    30V
    300 mJ
    950μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    21A Ta 160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.4MOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5160pF @ 15V
    118nC @ 10V
    83ns
    ±20V
    42 ns
    160A
    2.5V
    20V
    -
    30V
    690 mJ
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    2004
    yes
    30V
    鸥翼
    160A
    1
    TO-252AA
    175°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD8870 FDD8870 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench 对比
IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 对比
IRF6725MTRPBF IRF6725MTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MX MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET 对比