STL16N60M2备选型号: STD11NM60ND
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN88A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STL16N-Channel355m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA704pF @ 100V19nC @ 10V600V±25V8AROHS3 Compliant-----------------------------
- MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh IIACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63310A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ II活跃1 (Unlimited)EAR99--STD11N-Channel450m Ω @ 5A, 10V5V @ 250μA850pF @ 50V30nC @ 10V-±25V10AROHS3 CompliantSILICONe32450mOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼3R-PSSO-G21Single增强型MOSFET90W16 nsSWITCHING7ns9 ns3V25V600V40A200 mJ150°C4 V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FCD9N60NTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | 对比 |
![]() | STD11NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II | 对比 |
![]() | IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 | 对比 |






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