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STL17N65M5备选型号: STB14NM50N

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  • JESD-609代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL17N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    1.8A Ta 10A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL17
    1
    Single
    N-Channel
    374m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    816pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    11 ns
    10A
    25V
    650V
    950μm
    8mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB14NM50N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    12A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    245
    -
    STB14N
    -
    Dual
    N-Channel
    320m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 100μA
    816pF @ 50V
    27nC @ 10V
    9ns
    ±25V
    32 ns
    12A
    25V
    500V
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    320mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    10.2 ns
    SWITCHING
    3V
    48A
    无
    无SVHC
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