STL190N4F7AG备选型号: IRF1104PBF
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 晶体管元件材料
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- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R24 Weeks表面贴装8-PowerVDFN8120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™活跃1 (Unlimited)STL190N-Channel2m Ω @ 17.5A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V41nC @ 10V40V±20V120A4V无SVHCROHS3 Compliant------------------------------
- MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB12 Weeks通孔TO-220-33100A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®活跃1 (Unlimited)-N-Channel9m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA2900pF @ 25V93nC @ 10V-±20V100A4V无SVHCROHS3 Compliant通孔SILICON19983通孔EAR999mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE40V100ASingle增强型MOSFET170WDRAIN15 nsSWITCHING114ns19 nsTO-220AB20V40V400A40V110 ns4 V8.77mm10.5156mm4.69mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET,N-Channel,40V,100A,2.6 mOhm, 73 nC Qg,PQFN | 对比 |
![]() | IRF1104PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB | 对比 |
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |





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