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首页 全部分类 STL220N3LLH7 vs IPB240N03S4LR9ATMA1

STL220N3LLH7备选型号: IPB240N03S4LR9ATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL220N3LLH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    220A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    810μOhm
    未说明
    未说明
    STL220
    1
    Single
    55 ns
    N-Channel
    1.1m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 250μA
    8650pF @ 25V
    46nC @ 4.5V
    115ns
    ±20V
    51 ns
    220A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB240N03S4LR9ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-7
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    0.92m Ω @ 100A, 10V
    2.2V @ 180μA
    20300pF @ 25V
    300nC @ 10V
    -
    ±16V
    -
    240A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    16 Weeks
    SILICON
    2013
    yes
    6
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    无卤素
    30V
    0.00145Ohm
    960A
    750 mJ
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