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STL22N65M5备选型号: STB20N65M5
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN515A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)EAR99210MOhmSTL22Single110W43 nsN-Channel210m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA1345pF @ 100V36nC @ 10V7.5ns±25V7.5 ns15A20V650V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB318A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99190MOhmSTB20NSingle--N-Channel190m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA1434pF @ 100V36nC @ 10V7.5ns±25V7.5 ns18A25V710V---无ROHS3 Compliant无铅SILICON2鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING650V72A270 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
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