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STL24N60M2备选型号: IPL60R180P6AUMA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN818A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II Plus活跃3 (168 Hours)STL241Single14 nsN-Channel210m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 100V29nC @ 10V9ns600V±25V15 ns18A25V无ROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET N-CH 600V 4VSON-18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN422.4A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P6活跃2A (4 Weeks)---12.5 nsN-Channel180m Ω @ 9A, 10V4.5V @ 750μA2080pF @ 100V44nC @ 10V7.6ns-±20V5.8 ns22.4A20V-ROHS3 Compliant含铅SILICON2008yes4EAR99SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素600V0.18Ohm62A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | MOSFET N-CH 600V 4VSON | 对比 |
| STB24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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