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首页 全部分类 STL25N15F3 vs IRFH5215TRPBF

STL25N15F3备选型号: IRFH5215TRPBF

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  • 端子位置
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL25N15F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    57MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    STL25
    8
    R-XDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    57m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    29nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    20 ns
    25A
    20V
    6A
    150V
    24A
    300 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5215TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    5A Ta 27A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    -
    -
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    6.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 100μA
    1350pF @ 50V
    32nC @ 10V
    6.3ns
    ±20V
    2.9 ns
    5A
    20V
    5A
    150V
    -
    96 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2004
    30
    5V
    5 V
    无SVHC
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