STL25N15F4备选型号: FDD2572-F085
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 终端形式
- 元素配置
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- Trans MOSFET N-CH 150V 25A 8-Pin Power Flat T/R表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON25A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn) - annealedAVALANCE RATEDDUALSTL258R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN13.5 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA2710pF @ 25V48nC @ 10V5.1ns150V±20V11.4 ns25A20V6A0.063Ohm24A150V125 mJ无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 150V 29A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON4A Ta 29A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2-Tin (Sn)----R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V34nC @ 10V14ns-±20V14 ns29A20V4A0.054Ohm---无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)16 Weeks260.37mg鸥翼Single135WTO-252AA150V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD2572 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
![]() | IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN | 对比 |
![]() | FDD2572-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 150V 29A DPAK | 对比 |





哦! 它是空的。