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STL38N65M5备选型号: IPB65R095C7ATMA2
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- 基本部件号
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8XACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN81150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)EAR99105mOhmSTL38Single2.8W66 nsN-Channel105m Ω @ 12.5A, 10V5V @ 250μA3000pF @ 100V71nC @ 10V9ns±25V13 ns22.5A25V650V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant无铅-
MOSFET N-CH TO263-3-18 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-24A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C7活跃1 (Unlimited)------N-Channel95m Ω @ 11.8A, 10V4V @ 590μA2140pF @ 400V45nC @ 10V-±20V--------ROHS3 Compliant-650V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STL34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88 | 对比 |
 | STB35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
| IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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