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STL42P4LLF6备选型号: FDB8878
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLATACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON42A Tc175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ F6e3活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)DUALFLAT260not_compliant未说明STL42R-PDSO-F5Single增强型MOSFETDRAIN43 nsP-ChannelSWITCHING18m Ω @ 5A, 10V2.5V @ 250μA2850pF @ 25V22nC @ 4.5V40V±20V42A20V0.026Ohm40V950μm6.35mm5.4mmROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-48A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-Obsolete1 (Unlimited)----------Single---N-Channel-14mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V23nC @ 10V30V±20V48A20V-----符合RoHS标准TO-263175°C-55°C47.3W244ns35.3 ns30V1.235nF14mOhm14 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8878 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
 | IRLR7807ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | 对比 |
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