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STL45N65M5备选型号: STB34N65M5
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- 端子表面处理
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
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- 宽度
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- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN43.8A Ta 22.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃3 (168 Hours)EAR99Matte Tin (Sn)260STL45Single2.8W79.5 nsN-Channel86m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA3470pF @ 100V82nC @ 10V11ns650V±25V9.3 ns22.5A25V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB328A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-STB34NSingle190W59 nsN-Channel110m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2700pF @ 100V62.5nC @ 10V--±25V-28A25V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICON2110MOhm鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETSWITCHING650V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | 对比 |
 | STL38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X | 对比 |
 | STB35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
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