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首页 全部分类 STL56N3LLH5 vs PSMN8R0-30YL,115

STL56N3LLH5备选型号: PSMN8R0-30YL,115

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • STMicroelectronics
    STL56N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    9MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    STL56
    8
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    10.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 7.5A, 10V
    1V @ 250μA
    950pF @ 25V
    6.5nC @ 4.5V
    15.6ns
    +22V, -20V
    6 ns
    56A
    20V
    15A
    30V
    60A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PSMN8R0-30YL,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    8.3m Ω @ 15A, 10V
    2.15V @ 1mA
    1005pF @ 15V
    18.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2011
    not_compliant
    30V
    2013-06-14 00:00:00
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PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YL,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-100, SOT-669 MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET 对比