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首页 全部分类 STL7N10F7 vs FDMS86105

STL7N10F7备选型号: FDMS86105

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL7N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    27mOhm
    未说明
    未说明
    STL7
    1
    Single
    9.8 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 3.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    920pF @ 50V
    14nC @ 10V
    14ns
    100V
    ±20V
    4.6 ns
    7A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86105
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    6A Ta 26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    6.7 ns
    N-Channel
    34m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    645pF @ 50V
    11nC @ 10V
    2.1ns
    -
    ±20V
    2.4 ns
    6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    13 Weeks
    68.1mg
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    SWITCHING
    2.8V
    MO-240AA
    6A
    0.034Ohm
    100V
    30A
    50 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
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