STL80N3LLH6备选型号: IRFH5303TR2PBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON80A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIe3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR995.2MOhmMatte Tin (Sn) - annealedDUAL260STL808R-PDSO-N5Single增强型MOSFET60WDRAIN9.5 nsN-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 10.5A, 10V1V @ 250μA1690pF @ 25V17nC @ 4.5V30ns±20V12 ns80A20V30V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-23A Ta 82A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®--Obsolete1 (Unlimited)---------Single-3.6W-11 nsN-Channel-4.2mOhm @ 49A, 10V2.35V @ 50μA2190pF @ 15V41nC @ 10V31ns±20V6.1 ns23A20V30V无符合RoHS标准-8-PQFN (5x6)2013150°C-55°C30V2.19nF29 ns4.2mOhm4.2 mΩ1.8 V838.2μm5.9944mm5mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5303TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
![]() | STD75N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |






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