STL80N3LLH6备选型号: IRFH5303TR2PBF

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    5.2MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    STL80
    8
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 10.5A, 10V
    1V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    17nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    12 ns
    80A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    23A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.6W
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    4.2mOhm @ 49A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2190pF @ 15V
    41nC @ 10V
    31ns
    ±20V
    6.1 ns
    23A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    -
    8-PQFN (5x6)
    2013
    150°C
    -55°C
    30V
    2.19nF
    29 ns
    4.2mOhm
    4.2 mΩ
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
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