STL85N6F3备选型号: FDD86540

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.5mOhm
    雪崩能源评级
    DUAL
    STL85
    8
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    4W
    DRAIN
    21.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 8.5A, 10V
    2V @ 250μA
    3400pF @ 25V
    60nC @ 10V
    14.3ns
    ±20V
    7.1 ns
    19A
    20V
    60V
    76A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 50 A, 136 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD86540
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    21.5A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 21.5A, 10V
    4V @ 250μA
    6340pF @ 30V
    90nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    6.9 ns
    21.5A
    20V
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    260.37mg
    2010
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    鸥翼
    50A
    228 mJ
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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