STL85N6F3备选型号: NTMFS5C646NLT1G

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  • 基本部件号
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.5mOhm
    雪崩能源评级
    DUAL
    STL85
    8
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    4W
    DRAIN
    21.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 8.5A, 10V
    2V @ 250μA
    3400pF @ 25V
    60nC @ 10V
    14.3ns
    ±20V
    7.1 ns
    19A
    20V
    60V
    76A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    10.4 ns
    N-Channel
    -
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    ±20V
    5.1 ns
    19A
    20V
    60V
    750A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    2014
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    2V
    0.0063Ohm
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
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