STL8DN6LF3备选型号: AUIRFR4105ZTRL
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN82-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III活跃1 (Unlimited)EAR9965WSTL865W9 ns2 N-Channel (Dual)30m Ω @ 4A, 10V3V @ 250μA668pF @ 25V13nC @ 10V7.7ns60V5 ns20A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63320A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)EAR99--48W10 nsN-Channel24.5m Ω @ 18A, 10V4V @ 250μA740pF @ 25V27nC @ 10V40ns-24 ns20A20V--无ROHS3 Compliant无铅SILICON2010e32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20VTO-252AA0.0245Ohm55V29 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 对比 |




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