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首页 全部分类 STL8N10F7 vs IRF7853TRPBF

STL8N10F7备选型号: IRF7853TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 无铅
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  • 已出版
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL8N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    STL8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2000pF @ 50V
    22nC @ 10V
    100V
    ±20V
    35A
    0.02Ohm
    140A
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7853TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    66A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    2006
    18MOhm
    2.5W
    13 ns
    6.6ns
    6 ns
    8.3A
    20V
    100V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    Unknown
    无
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