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首页 全部分类 STL8P4LLF6 vs IRF7468TRPBF

STL8P4LLF6备选型号: IRF7468TRPBF

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  • 上升时间
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  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STL8P4LLF6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    4.5V 10V
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    STL8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    20.5m Ω @ 4A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2850pF @ 25V
    22nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    8A
    0.029Ohm
    32A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7468TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.4A, 10V
    2V @ 250μA
    2460pF @ 20V
    34nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    -
    -
    75A
    -
    ROHS3 Compliant
    2004
    15.5MOhm
    雪崩 额定
    40V
    9.4A
    2.5W
    7.6 ns
    2.3ns
    3.8 ns
    9.4A
    12V
    40V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    无铅
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