Infineon Technologies IRF7469TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Turn Off Delay Time

14 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

17MOhm

电压 - 额定直流

40V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

9A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 4.5V

上升时间

2.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

9A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

73A

栅源电压

3 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free