STL9N60M2备选型号: STD9N60M2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
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- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN84.8A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99760mOhm未说明未说明STL91Single8.8 nsN-Channel860m Ω @ 2.4A, 10V4V @ 250μA320pF @ 100V10nC @ 10V7.5ns±25V13.5 ns4.8A25V600VROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6325.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99780mOhm--STD9N-Single8.8 nsN-Channel780m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA320pF @ 100V10nC @ 10V7.5ns±25V13.5 ns5.5A25V650VROHS3 Compliant无铅60W600V2.4mm6.6mm6.2mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK | 对比 |
![]() | IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | STL10N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |





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